IBM dan Samsung Siapkan Terobosan Desain Semikonduktor

IBM dan Samsung Siapkan Terobosan Desain Semikonduktor

Jakarta, Selular.ID – Baru-baru ini IBM dan Samsung saling mengklaim telah membuat terobosan dalam desain semikonduktor.

Dalam konferensi IEDM di San Francisco, kedua perusahaan meluncurkan desain baru untuk menumpuk transistor secara vertikal pada chip.

Dikutip dari Engadget (12/12), melalui konsep ini IBM dan Samsung menyebut akan menghadrikan dua keuntungan. Pertama, ini akan memungkinkan melewati banyak batasan kinerja untuk memperpanjang Hukum Moore di luar ambang batas 1nm.

Mereka memperkirakan Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) akan mengarah pada prosesor yang dua kali lebih cepat dan menggunakan daya 85 persen lebih sedikit daripada chip yang dirancang dengan transistor FinFET.

Lalu IBM dan Samsung juga mengklaim proses ini memungkinkan sebuah smartphone dapat bertahan selama satu minggu kedepan, dengan sekali pengisian daya saja.

Dan yang tidak kalah paling penting, teknologi ini dapat melakukan tugas-tugas yang menangani energi, termasuk cryptomining, lebih hemat daya sehingga dapat mengurangi dampak pada lingkungan.

Meski terlihat canggih, dua raksasa teknologi tersebut belum menceritakan banyak detail dari kemampuannya, termasuk kapan chipset tersebut hadir dan diproduksi masal.

Dan sekedar tambahan pula saat ini banyak perusahaan lain yang sedang mencari cara untuk dapat memproduksi sebuah prosesor sub 1nm.