Selular.ID – Samsung dikabarkan tengah mempertimbangkan penggunaan cip buatan internal mereka, Exynos 2700, untuk lini ponsel pintar kelas atas mendatang, Samsung Galaxy S27 Ultra.
Langkah strategis ini mencuat setelah pabrikan asal Korea Selatan tersebut dilaporkan menghadapi kendala teknis terkait peningkatan suhu atau overheating serta penurunan performa pada prosesor buatan Qualcomm yang sedang diuji coba pada perangkat tersebut.
Berdasarkan laporan dari media bisnis Korea Selatan, Seoul Economic Daily, pada Oktober 2026.
Pengujian awal pada prosesor Qualcomm Snapdragon versi mendatang menunjukkan bahwa komponen tersebut melampaui batas suhu normal saat menerima beban kerja berkelanjutan.
Kondisi termal tersebut memicu mekanisme pembatasan kinerja atau thermal throttling yang menurunkan kecepatan pemrosesan data secara signifikan pada purwarupa perangkat.
Menanggapi kendala tersebut, pihak manajemen Samsung telah meminta Qualcomm untuk segera melakukan perbaikan dan stabilisasi performa termal sebelum pertengahan Oktober.
Kendati demikian, kedua perusahaan tetap melanjutkan kerja sama teknis guna mencari solusi terbaik bagi kesiapan operasional cip tersebut pada lini ponsel flagship tahun depan.
Apabila Qualcomm tidak mampu memenuhi standar stabilitas termal dan efisiensi yang ditetapkan, Samsung menyiapkan prosesor Exynos 2700 sebagai alternatif utama.
Cip buatan divisi System LSI tersebut dikembangkan menggunakan teknologi manufaktur proses 2 nanometer generasi kedua dari Samsung Foundry, yang dirancang khusus untuk meningkatkan performa komputasi sekaligus menekan konsumsi daya secara optimal.
Potensi Kembalinya Cip Exynos pada Varian Ultra
Penggunaan cip Exynos secara penuh pada model Galaxy S27 Ultra akan menandai kembalinya prosesor buatan internal Samsung ke dalam lini ponsel kasta tertinggi mereka di pasar global.
Terakhir kalinya Samsung menyematkan cip Exynos pada varian Ultra terjadi pada seri Galaxy S22 Ultra melalui prosesor Exynos 2200 untuk wilayah pemasaran Eropa pada tahun 2022 lalu.
Sejak peluncuran seri Galaxy S23 Ultra hingga generasi berikutnya, perusahaan secara konsisten mengandalkan prosesor Snapdragon untuk seluruh pasokan global perangkat kelas atas tersebut.
Meskipun demikian, belum ada kepastian resmi apakah adopsi Exynos 2700 ini akan diterapkan secara global atau tetap menggunakan pendekatan pembagian wilayah pemasaran seperti strategi regional sebelumnya.
Langkah evaluasi mandiri ini juga didasari oleh pertimbangan finansial yang cukup signifikan bagi perusahaan.
Berdasarkan laporan keuangan korporasi, biaya pengadaan komponen prosesor seluler (Mobile AP) Samsung mencapai nilai total 13,83 triliun won pada tahun sebelumnya.
Sehingga peningkatan utilisasi cip buatan sendiri diharapkan mampu menekan ketergantungan pada pemasok eksternal.
Dampak Strategis dan Efisiensi Manufaktur
Pemanfaatan lini produksi semikonduktor internal melalui teknologi 2 nanometer SF2P tidak hanya bertujuan mengatasi kendala teknis perangkat, tetapi juga memaksimalkan utilisasi fasilitas manufaktur milik Samsung Foundry.
Penggunaan komponen buatan sendiri di dalam ekosistem produk premium memberikan fleksibilitas rantai pasok yang lebih kuat di tengah ketatnya persaingan industri semikonduktor global.
Keputusan final mengenai spesifikasi perangkat keras untuk lini ponsel flagship masa depan ini akan sangat Bergantung pada hasil evaluasi performa lanjutan yang dilakukan oleh tim teknik perusahaan.
Samsung terus memantau perkembangan pengujian teknis tersebut guna memastikan kualitas produk akhir memenuhi standar kenyamanan pengguna dan stabilitas sistem secara menyeluruh.
Perkembangan kebijakan komponen ini mencerminkan dinamika tinggi dalam industri perangkat seluler profesional, di mana manajemen rantai pasok dan performa termal menjadi penentu utama dalam menjaga keunggulan kompetitif.
Baca Juga:Samsung Galaxy A18 di Indonesia Dijual Mulai Rp4,29 Juta
Seluruh pemangku kepentingan industri menantikan kepastian resmi dari pabrikan terkait kepastian spesifikasi akhir jelang jadwal produksi massal perangkat tersebut.
